3D V-NAND 三星850 EVO TLC SSD评测

三星在2014年发布了其基于32层堆叠的3D V-NAND固态硬盘系列产品——三星850 EVO系列,这款最大容量达到1TB的SSD产品与上一代的845系列有什么差别?性能表现如何?且看本次ZDNet企业解决方案的评测报告。

三星850 EVO性能测试

本次测试的目的主要评估三星850 EVO SSD在不同数据块大小在不同队列深度下的随机读取性能(IOPS)和连续读写性能(MBPS)。测试平台使用安装了Windows Server 2012 R2操作系统的Dell PowerEdge R620双路服务器,2.0GHZ,共24核心48线程,配备48GB内存,通过LSI SAS HBA卡直连三星850 EVO SSD。测试工具使用Iometer 1.1.0版本。

随机读取性能测试

容量为1TB的三星850 EVO SSD在不同数据块大小的随机读取性能表现如下图所示:

3D V-NAND  三星850 EVO TLC SSD评测

三星850 EVO SSD(1TB)在不同数据块大小随机数据读取测试下的IOPS成绩与吞吐量表现。其中横轴表示数据块大小,图左纵轴表示IOPS成绩,图右纵轴表示吞吐量(MBPS)。由上图可见,在未对齐模式下,850 EVO(1TB)在数据块大小为512B时获得的最高IOPS为102920,随着数据块尺寸增大,IOPS逐步下降,吞吐量显著增加,最终获得545MiB每秒的吞吐量

值得注意的是,在衡量数据块大小和吞吐量时,有十进制和二进制之分,在本篇测试中,所有的测试数据及结果都是基于二进制,即使用KiB、MiB表示,其中i表示使用二进制。在没用标明i的情况下则表示采用十进制。

使用同样的测试数据及方法,在4KiB数据对齐情况下,三星850 EVO(1TB)SSD在随机读取测试下的性能表现,具体如下:

3D V-NAND  三星850 EVO TLC SSD评测

 三星850 EVO(1TB)在4KiB对齐模式下(蓝线),不同数据块大小数据随机读取测试成绩,在1KiB到4KiB数据块大小时,相对于未对齐模式,IOPS成绩明显有提高。其中,横轴表示数据块大小,纵轴表示IOPS

3D V-NAND  三星850 EVO TLC SSD评测

三星850 EVO(1TB)SSD在4KiB对齐模式下的吞吐量表现(蓝线),与IOPS成绩类似,在数据块大小为1KiB、2KiB和4KiB时,吞吐量表现略有提升。其中横轴表示数据块大小,纵轴表示吞吐量

来源:ZDNetCBSi企业方案解决中心频道

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2015

01/28

15:22

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