Intel SSD DC S3500企业级固态硬盘评测
Intel SSD DC S3500内部具有33.29V的“高压”,它可能跟S3500采用的非对称NAND芯片方案(14个32GiB芯片、1个64GiB、1个16GiB)有关联。
我们对Intel SSD DC S3500使用的电容比较在意,正好笔者手上有一个UNI-T UT61E万用表,于是就进行了一个额外的小测试:
电路板上的两个35V 47uF的NCC(日本化工)Chemi-con KZH系列黑金刚铝电解电容:
工作时电容上的电压高达33.29V,注意人体安全电压是36V,因此这个固态硬盘可不能随意乱碰!也因此SSD内部添加了塑料内衬以起保护作用。为何要浪费大量的PCB来添加DC-DC升压线路将电压从+5V/+12V升到33.29V,而不是使用Intel SSD 710上面的贴片方案呢?可能是为了维持PCB的电气性能。不过,尽管使用了较高的电压,不过其储存电量经过计算仍然不及SSD 710,这个应该就如前面所说的,第三代Intel控制器的映射表保存在特定的NAND芯片上,这个很可能跟S3500采用的非对称NAND芯片方案(14个32GiB芯片、1个64GiB、1个16GiB)有关——电容只需要对该NAND芯片供电即可。
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