Intel SSD DC S3500企业级固态硬盘评测
Intel SSD DC S3500内部具有33.29V的“高压”,它可能跟S3500采用的非对称NAND芯片方案(14个32GiB芯片、1个64GiB、1个16GiB)有关联。
我们对Intel SSD DC S3500使用的电容比较在意,正好笔者手上有一个UNI-T UT61E万用表,于是就进行了一个额外的小测试:
电路板上的两个35V 47uF的NCC(日本化工)Chemi-con KZH系列黑金刚铝电解电容:
工作时电容上的电压高达33.29V,注意人体安全电压是36V,因此这个固态硬盘可不能随意乱碰!也因此SSD内部添加了塑料内衬以起保护作用。为何要浪费大量的PCB来添加DC-DC升压线路将电压从+5V/+12V升到33.29V,而不是使用Intel SSD 710上面的贴片方案呢?可能是为了维持PCB的电气性能。不过,尽管使用了较高的电压,不过其储存电量经过计算仍然不及SSD 710,这个应该就如前面所说的,第三代Intel控制器的映射表保存在特定的NAND芯片上,这个很可能跟S3500采用的非对称NAND芯片方案(14个32GiB芯片、1个64GiB、1个16GiB)有关——电容只需要对该NAND芯片供电即可。
最新文章
浪潮商用机器2024 Power Start精彩上演 乘AI东风再绘生态新蓝图
MiniGPT4-Video:让大模型分析视频内容,依然有难度
2024中国移动算力网络大会主论坛议程抢先看!
法国奢侈品巨头LVMH:AI挑战奢侈品行业的根源是人、而非技术
五一促销季火热来袭,购联想AI PC一键快乐!
推动数字化智变发展 锐捷网络保持行业领先
深入洞察专科用户信贷需求 数禾科技以科技实力高效释放普惠、反诈力量
8000㎡数字世界,2024中国移动算力网络大会主题展区精彩剧透
史无前例!曙光存储宣布免费升级全闪
联想掀起AI终端革命
用数据说话,机械硬盘 VS 固态盘的三大真相
中兴通讯亮相CCBN2024,5G-A技术方案赋能广电事业