3D V-NAND 三星850 EVO TLC SSD评测

4KiB随机读取性能测试

目前，由于闪存产品的每IOPS成本已经趋于合理，但每GB成本仍稍显昂贵，所以闪存大多应用在数据库等应用之中。而这类应用所产生的数据块大小大多为4KiB或者8KiB，所以在本次测试中，我们重点测试了850 EVO在数据块大小为4KiB和8KiB时的IOPS表现。下图为850 EVO在4KiB数据块大小时，4KiB对齐与未对齐下的IOPS表现：

三星850 EVO SSD（1TB）在不同队列深度下，4KiB对齐与未对齐时的IOPS表现。可见，相比于未对齐，4KiB对齐有助于提升850 EVO的性能表现。其中，横轴为队列深度，纵轴为IOPS成绩

同时，我们还用三星上一代的3D V-NAND产品的性能表现作为对比，我们采用的是960 GB容量的三星845DC PRO SSD产品，容量大小接近850 EVO，采用同一平台，相同的测试方法对比850 EVO的性能表现，具体如下图所示：

三星845DC Pro SSD（960GB）与850 EVO（1TB）在4KiB对齐时，4KiB随机数据读取测试中的性能表现。相对于上一代845 DC PRO的IOPS表现，850 EVO有明显的性能提升。上图中，横轴表示队列深度，纵轴为IOPS表现