3D V-NAND 三星850 EVO TLC SSD评测

8KiB随机数据读取性能测试

与4KiB随机数据读取测试类似，分别测试获得850 EVO在4KiB对齐和未对齐下的性能表现，综合对比如下：

三星850 EVO在4KiB对齐与未对齐时的性能对比表现，相比于未对齐，4KiB对齐下，850 EVO有更好的性能表现。上图中，横轴表示队列深度，当队列深度为8时，850 EVO的性能基本处于饱和；纵轴为IOPS成绩

同样，我们通过与上一代SSD产品845DC PRO的对比来衡量850 EVO的性能表现，具体如下图：

三星845DC PRO与850 EVO性能对比，在4KiB对齐模式下，850 EVO与845DC PRO的最高性能相差无几，但是850 EVO的性能明显上升更快，如上图所示，在队列深度小于32时，850 EVO的IOPS明显高于845DC PRO。横轴代表队列深度，845DC PRO在32队列深度时获得最高IOPS表现，但850 EVO在8队列深度时就取得了最大性能；纵轴为IOPS成绩

三星845DC PRO与850 EVO在8KiB数据块随机读取测试中的吞吐量表现（MBPS）。与IOPS表现类似，850 EVO的性能增长较快，当队列深度为8时达到最大性能，随后性能表现趋于平稳。上图中，横轴表示队列深度，纵轴为吞吐量（MBPS）

通过对比分析，我们认为三星845 EVO与845DC PRO这两款SSD的最高吞吐量相差无几，这可能是由于SATA 3.0接口带宽的限制，阻碍了更高的性能发挥。为了验证这一想法，我们进行了数据连续读写测试来获得850 EVO的最大吞吐量。