3D V-NAND 三星850 EVO TLC SSD评测

连续数据读取性能测试

在这一测试项目中，我们采用1MiB大小数据块进行连续读取测试，获得的吞吐量表现如下图所示：

三星850 EVO吞吐量表现，横轴表示队列神对，纵轴表示吞吐量（MBPS）。当队列深度为8时，获得545MiB/s的吞吐量，这几乎已经达到了SATA 3.0接口在实际应用中的极限水平。其后，随着队列深度的增加，性能趋于平稳

三星850 EVO与845DC PRO性能对比（吞吐量，MBPS）。在吞吐量方面，850 EVO与845DC PRO的性能相差无几，850 EVO保持轻微的优势

不管是850 EVO还是845DC PRO都在队列深度为4时，达到最高性能表现，随后趋于平稳，基本都达到了SATA 3.0接口在实际应用中的极限带宽。当然，对性能表现带来影响的因素不只是SATA接口带宽，还包括NAND闪存颗粒、主控和固件等，同时，针对所面向的应用场景而进行针对性的优化也会带来较大的性能差异。850 EVO是一款基于3D V-NAND的TLC固态硬盘产品，主要面向读密集型应用，所以其对读性能进行优化是有必要也是理所当然的。

实际上，在测试中我们发现，不管是在数据随机读取测试中，还是顺序读取测试中，850 EVO在读性能方面都稍强于845DC PRO。

不同数块大小情况下，三星845DC PRO与850 EVO在随机读取测试中的吞吐量（MBPS）表现，横轴表示测试数据块大小，纵轴表示吞吐量（MBPS）

在三星850 EVO发布之初，由于是采用的TLC，引起了大多数用户的争议。由于对TLC SSD产品已有的成见，一些用户对850 EVO产品的耐久性（寿命）持有不同的看法。但三星仍为850 EVO系列SSD产品提供长达5年的质保（在外包装上有明显标记），三星敢于率先应用TLC技术SSD的信心在于：首先，3D V-NAND不同于传统的浮栅极MOSFET（Floating gate MOSFET）技术，而是使用电荷撷取闪存设计，将电荷储存在绝缘层之上，理论上没有消耗，能够提供更高的可靠性和耐久性。

并且，就大多数应用场景而言，普遍都是以读多而写少，成本更加合理的TLC SSD产品完全能够胜任这些场景。即使是按1000 P/E计算，容量为1TB的850 EVO也能够实现1PB的数据写入。按5年计算，相当于每年写入200TB数据，差不多每天要写入500GB新的数据，除非极限测试环境，或者某些特定应用场景，大多数应用场景很难产生如此大量的擦除写入操作。